陶瓷电容器作为使用范围最广泛的电容器之一，可能许多电子工程师在实际应用中经常都会碰到电容器被击穿等头疼的问题，那么接下来就让中芯谷小编带着大家深度剖析陶瓷电容器被击穿的原因吧！
根据导致陶瓷电容器被击穿的因素，可分为电压击穿、热击穿和磁场击穿。
1、电压击穿
电压击穿是陶瓷电容器最容易出现的击穿情况，从严格意义上讲，电压击穿即是指当电压超过该元器件的耐压值，则会导致陶瓷电容器表面破碎，芯片出现开裂等情况。导致这一情况出现的罪魁祸首常常是其电容器的耐压能力不够或者是技术人员对电容器的电压安全余量把握不够。
采用更高耐压值的陶瓷电容器或者把电压降低是解决此情况的最有效途径之一，根据国际电网要求，陶瓷电容器必须达到42KVAC保压2分钟才能称得上是合格的产品。
2、热击穿
导致热击穿出现的本质是由于电场中的介质损耗而产生的热量，若散发的热量比散去的多，那么介质的温度将会愈来愈高，从而导致陶瓷电容器永久性损坏。这种击穿没有先兆，在极短的时间内陶瓷芯片发生急剧的温度变化，因此往往一击即穿。
而导致热击穿的根本原因在于，陶瓷电容器本身的HZ级别与电路设计要求的不符。甚至使用更低档次的产品。
3、磁场击穿
相比上述两种击穿现象，磁场击穿发生的频率会相对低一些。目前，磁场击穿还没有被严格定义，其一般是指陶瓷电容器在强磁场的情况下出现的击穿现象。而通过改变电路的结构可有效的防止这一情况的出现。
在深度剖析了陶瓷电容器被击穿的原因后，中芯谷小编认为，无论是陶瓷电容还是别的电子元器件，在选购方面，质量一定要把好关。其次是要按照相应的元器件标明的使用规则使用，才能有效避免因使用不当而导致元器件的损坏。
