日前由AMD拆分而来、全球排名第二的IC制造业者格罗方德(GlobalFoundries)决定与重庆市政府合作，在当地兴建12寸(300mm)晶圆厂。重庆市政府提供土地与建物，格罗方德负责设备与技术部分，但双方的持分比例与投资金额等资讯并未公布。预计2017年起投产130~40纳米逻辑、模拟、混合信号芯片等。据知情人士透露，该工厂初期量产规模以每月投入晶圆为基准约1.5万片。
先前台积电也曾发表到南京的建厂计划，规划兴建12寸晶圆厂，投产时间定在2018年，生产16纳米FinFET芯片。从台积电最新的技术地图(Roadmap)来看，2018年最新制程应为10纳米或7纳米技术，因此用于南京工厂的技术约落后两个世代左右，原因应是考虑技术外流问题。
中芯谷相关业内人士认为，如今格罗方德也决定在重庆建厂，并采用130~40纳米，而非最先进的10纳米级FinFET制程，业界认为应也是考虑技术可能外流所做的决定。存储器领域，两大韩厂早已在大陆工厂使用最新技术进行生产。三星电子(Samsung Electronics)在西安工厂生产3D NAND Flash存储器，SK海力士(SK Hynix)在无锡工厂也几乎与韩国利川工厂同步，使用相同的先进制程量产DRAM。
业界认为，三星、SK海力士、台积电、英特尔等半导体领导业者在大陆的建厂计划并非合资型态，技术流出的风险较低。但格罗方德与力晶以提供技术的方式与大陆合作，将间接扶植大陆的技术竞争力，为大陆半导体产业崛起助一臂之力。但也有业内人士给出不同的看法，存储器领域并非儿戏，许多有意前进大陆发展的美国、日本、德国半导体业者铩羽而归，目前大陆政府的出资来自地方，投资不如由中央政府主导的集中，或许反而能成为韩国业者成长茁壮的机会。
