其中，增长率较高的是SiC、GaN、氧化镓等新一代功率半导体。预计到2020年，新一代功率半导体的销售额将达到1665亿日元，约为2014年(129亿日元)的约13倍。富士经济认为，SiC功率元件市场将在2016年正式形成。
历经2015年大幅衰退后，2016年全球功率半导体市场可望重新回稳，销售金额比2015年成长1%，达124亿美元。值得注意的是，在各类功率半导体元件中，未来成长力道最强劲的产品将是高压MOSFET(超过200V)与IGBT模组，两类产品在2015～2020年期间的复合年成长率(CAGR)预估分别为4.7%与4.0%。
由于资料中心伺服器、工业设备、家电产品等终端应用不断追求更高能源效率，对功率半导体的需求产生明显支撑效果，因此功率半导体市场的表现将比整体半导体市场更加稳健。
