全球3D NAND现状分析：竞争形势加剧
自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后，在技术上每年都会前进一步，由24层、32层、48层，到今年的第四代64层。有消息称2017年三星将可能推出80层 3D NAND。除技术进步之外，全球NAND闪存市场在3D堆叠技术的影响下，价格有可能低到每Gb约3美分。
从3D NAND的技术与产能方面寻求突破，近期几大厂商都在加大力度。近四个月以来，变化最大的是东芝及英特尔。因为现阶段三星在NAND方面领先，估计平均领先两年左右，而目前它的3D NAND产出已经占它NAND的比重达40%。但是东芝正后来居上，因为它的64层提前量产，或者与三星同步，但是它的目标更为宏大，3D NAND在2017年目标要占它的NAND产出50%，2018年达以80%，而目前仅5.4%。
国产存储产业突破口：以技术突破获取成本降低
目前，中国正在下大力度推进存储产业的发展，3D NAND被认为是一个有利的突破口。由于平面NAND闪存的量产已经达15纳米，几乎接近物理极限，因此为了提高存储器的容量及带宽，向3D NAND技术迈进是必然趋势。
但是3D NAND技术很复杂，由于成品率低，导致成本高。依三星的技术水平，估计它的48层3D NAND的成本已经接近2D NAND，未来64层时可能会占优势。而其他的各厂家现阶段仍然需要克服成本这一难题。这可以给中国存储厂商一些时间。但是，不管如何，到2018年长江存储实现诺言量产3D NAND时，它的32层与三星可能已经达100层相比绝不占优势。技术只是一个方面，更为严峻的是制造成本方面的差距。
因此，长江存储的产能扩充不可能盲目地马上扩大到月产10万片规模。但是历来存储产业就是像一场赌局，对于中国半导体业是没有退路，只有迎头努力往前赶。长江存储上马的意义，不能完全用市场经济的概念来注释，其中技术方面的突破是首位，其次是降低制造成本，逐渐缩小差距。争取在未来全球半导体业处于上升周期时，存储器价格有所回升，那时长江存储才有希望实现成功突围。
