相关数据显示，2015年大陆DRAM采购规模估计为120亿美元、NAND Flash采购规模为66.7亿美元，各占全球DRAM和NAND供货量的21.6%和29.1%。然而，这些存储芯片在国内仍旧空白，几乎100%依赖进口。
国产存储芯片行业四大特征成为其发展的“拦路虎”
虽然前景可期，但当前我国存储芯片仍面临技术差距大、行业市场集中度高、周期性强、资金投入大四大特征，这也致使我国存储芯片国产化任务艰巨，国内单一企业力量难以攻克。
如今国际主流堆栈是32-48层，三星的技术可达64层，而我们与之相差甚远。存储芯片的制造工艺异常复杂，其中3D NAND闪存的制造更为困难，目前，全球各家存储厂商对3D NAND的制造工艺都十分保密。当前国内NAND FLASH、DRAM制造技术基本处于缺失状态。此外，知识产权是芯片行业竞争的利器。但目前，存储芯片专利几乎都被国际巨头垄断，无论是武汉新芯，还是福建晋华，其技术均是依托技术授权合作。
通常存储行业市场集中度高，以DRAM市场为例，1970年代起步时候大约40-50家，1990年代末还有14家，到2004年只剩下5家实力较为突出，而如今全球仅3家就占据市场90%的份额，已经成了Samsung、SK Hynix、Micron寡头垄断的竞争格局。
存储芯片突围需直面战场
和CPU一样，存储器是芯片领域的战略制高点，中芯谷业内人士认为为，我国做存储器产业一定要正面主战场。首先需抓住核心技术，既要引进尖端人才，又要外延快速获取。近年来，半导体存储科技发展日益蓬勃，除了相关技术外，存储器专利已然成为了竞争的利器。如今，在存储器行业形成寡头垄断的竞争局面下，既有的专利将对新进入者构成重大门槛。
据记者了解，当前国内已有多方力量着手攻克存储芯片。紫光集团600亿元建设存储芯片工厂，未来5年300亿美元主攻存储器芯片制造；武汉新芯：240亿美元打造存储器基地；福建晋华投资370亿元，合肥联手兆基科技投资460亿元，建DRAM工厂。近期，市场传紫光集团携手武汉新芯，共同逐力存储芯片，更加凸显国家建设存储芯片的意志。
业内人士认为存储芯片国产化是一项艰巨的工程，要敢于啃硬骨头，存储芯片的四大特性决定了国产化工程离不开政府的强力支持。除了资金支持外，政府应当从人才到产业链配套等领域全面持续加大对存储芯片产业的支持。
