供应持续吃紧，DRAM市场至2017年维持健康供需状态
由于今年中国品牌智能型手机表现超乎预期，服务器出货也受惠于中国大陆数据中心需求增温，下半年台系服务器代工厂订单较上半年平均成长近两成，促使DRAM原厂自第二季开始大幅调升行动式内存与服务器内存的产出并调降标准型内存出货。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，今年第四季行动式内存出货比重将逼近45%，服务器内存出货比重突破25%，标准型内存仅剩不到20%。
然而，从笔电市况来看，第三季北美地区笔电需求增温，如惠普与戴尔出货季增长皆超过8%，造成标准型内存供应紧俏，DDR3与DDR4的4GB模组合约价格终于止跌回稳并站上13.5美元。
在原厂仍维持转进毛利高的行动式内存的策略下，DRAMeXchange预估，第四季标准型内存价格将持续上涨，DDR3与DDR4的4GB模组将上看15美元，季涨幅（季均价对季均价）将达15%，整体获利结构逐步攀升，DRAM市场未来一年都将维持健康的供需状态。
行动式内存则持续受惠于中国智能型手机的拉货需求及新一代iPhone备货将在第四季达高峰，目前已有部分中国大陆大厂与主要DRAM供货商订定的第四季合约涨价超过一成，预期第四季行动式内存涨幅也将相当可观。
大厂积极抢料，第四季NAND Flash价格维持上涨
在NAND Flash方面，第三季苹果与中国智能型手机大厂华为、vivo、OPPO等拉货动能优于预期，对整体2D NAND Flash产能消耗十分庞大，尤在NAND Flash原厂转进3D - NAND Flash速度不如预期情况下，供给更为紧俏。
此外，企业级固态硬盘需求、笔电固态硬盘搭载率快速提升，同步造成第三季NAND产能缺口。
受到上述OEM端强大需求，及制程转进不顺的影响，让三星、东芝、闪迪、美光等供货商，对模组商的供货水位骤降，模组厂在原厂供货短缺下只能被迫接受涨价。
主流128Gb TLC wafer合约均价已较6月底涨10%以上
第四季OEM端客户在不看好非三星阵营3D - NAND Flash的转进进度，担心导致供应吃紧的预期心理下，已经出现Overbooking与Double Booking的抢料动作。
DRAMeXchange预估，在智能型手机客户拉货力道持续不坠下，供货短缺情况料将延续，第四季NAND Flash价格仍维持上涨，而模组厂是否愿大量备货成为价格涨幅多寡的关键。
