厂商争相投资，3D NAND Flash前景不妙？据传三星电子平泽厂（Pyeongtaek）将提前投产，SK海力士（SK Hynix）、东芝（Toshiba）、美光（Micron）产能也将于明年下半全面开出，届时3D NAND可能会从供不应求、呈现供给过剩的状况。
6日报道，NAND需求爆发，据悉三星电子决定平泽厂完工时间提前三个月，改在明年三、四月开始生产第四代64层3D NAND。三星平泽厂完工，加上原本的华城（Hwaseong）厂，届时三星3D NAND产能将从当前水准提高两倍、至32万片。
SK海力士也准备生产3D NAND，仁川厂M14线无尘室正在装设仪器，估计第二代36层3D NAND可在今年第二季出货、第三季量产。第四季将加码投资第三代48层3D NAND，估计未来3D NAND将占SK海力士产出的一半。
与此同时，大陆厂商武汉新芯也打算砸下巨资打造新厂，该公司与美商Spansion共同研发3D NAND。日厂东芝则与Western Digital（西部数据）携手，准备量产3D NAND。
韩媒 4日报道，业界消息称，NAND Flash价格一路向上，三星决定平泽厂将提前三个月投产。目前平泽厂的建筑工事进入尾声，正修筑工厂外墙，预料12月完工，紧接着要开始设备投资，购买无尘室设施和晶圆生产仪器等。
多名设备业人士表示，三星若想在2017年初装设备仪器，现在就得下单，据称三星不久后就会开始发出订单。外界预料，平泽厂将名为18代线，明年第二季季初或季中开始营运，负责生产第四代64层3D NAND Flash。第一阶段每月产量为4~5万片12寸晶圆，约为18代线总产量的1/4（总产量为20万片）。估计第一阶段投资金额为27.2~31.7亿美元（181.4亿~211.4亿人民币）。
韩国媒体朝鲜日报日文版报道，三星8月11日宣布，第4代V-NAND Flash（3D NAND）产品将在2016年Q4（10-12月）开卖，该款产品将采64层堆叠。三星指出，借由采用64层堆叠技术，每片晶圆的储存容量可较现行技术提高30%、能有效改善成本竞争力。
三星为全球第一家量产3D NAND的厂商，于2013年研发出堆叠24层的3D NAND之后，就逐步将技术升级至32层、48层，此次则进一步提升至64层。
东芝7月27日发布新闻稿宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND制程技术，并自当日起领先全球同业开始进行样品出货，且预计将透过甫于7月完工的四日市工厂“新第2厂房”进行生产。
