尽管大陆布局自制3D NAND Flash雏形渐现，长江存储将与已并购飞索（Spansion）的赛普拉斯（Cypress）合作，切入32层和64层3D NAND技术，由于门槛较高，长江存储仍有机会急起直追国际存储器大厂，然值得注意的是，全球存储器产业将率先上演大陆力争DRAM主导权戏码。
目前大陆DRAM势力处于战国时代，至少有三股DRAM势力全面竞逐版图，除了长江存储之外，还有联电旗下福建晋华，其主要操盘手为前瑞晶总经理、现任联电资深副总陈正坤，第三股DRAM势力则是合肥市政府结合GigaDevice及王宁国人马成立的合肥长芯。
长江存储与旗下武汉新芯原本是扮演大陆存储器中心角色，将统筹3D NAND和DRAM两大存储器技术发展，然大陆政府传出针对长江存储DRAM布局进行规范，若是自行研发DRAM技术必须先量产3D NAND，但若对外购买技术则无此限制，使得长江存储积极与国际大厂合作，以加速DRAM量产，并获得专利保护伞。
长江存储除了积极与美光洽谈DRAM技术专利授权，业界亦传出正着手评估自建或并购现有晶圆厂的可能性，甚至有意跟随台积电脚步评估在南京设立12寸晶圆厂，长江存储执行长杨士宁则表示，将以并购现有晶圆厂为第一考量。
近期武汉新芯12寸新厂已经动起来，单月产能规划30万片，涵盖NAND Flash和DRAM芯片，然业界预期长江存储两大产品线的生产基地，最终仍会分开进行。至于大陆另外两个DRAM阵营亦加快脚步展开研发自制，希望抢在长江存储之前先量产DRAM技术，以争取大陆DRAM产业宝座。
联电与福建晋江地方政府合作成立的福建晋华新厂已经动工，预计2018年进入量产，业界传出大陆注资近新台币100亿元，让联电在南科厂同时进行25、30nm技术研发，预计2017年底完成技术开发，福建晋华则配合在2018年下半装机，届时联电南科厂DRAM技术将快速转到福建晋华量产。
尽管福建晋华至少要投入25nm以下制程技术，才有机会获得大陆官方青睐，但联电采取较谨慎作法，避免一下子投入25nm技术开发面临失败风险，遂同时研发30nm作为备案。
