全球三大DRAM厂三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不约不同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员，全力防堵DRAM技术流入中国大陆，让全力发展自主DRAM研发的中国大陆踢到铁板，也让近期有意跳槽到大陆的华亚科核心技术人员，遭到空前恫吓。
半导体人士透露，三大DRAM厂强力防止中国大陆借挖角剽窃技术，显示不乐见DRAM产业寡占局面被中国大陆打破；三大厂采取法律制约员工跳槽的行动，如果能奏效，将使DRAM供给缺口问题再扩大，明年再现飙涨。
中国大陆全力发展记忆体已列为政策目标，目前包括紫光集团、合肥长键及福建晋华都相继提出宏大发展计画，并且对外挖角行动再扩大。
不过，力晶集团执行长黄崇仁透露，包括三星和SK海力士已寄出存证信函给，对合肥长鑫挖角的原三星和SK海力士员工措词强硬，不惜倾所有资源提告。
无独有偶，美光也发出存证信函给原担任美光台湾区总经理，后来跳槽到联电担任副总经理的陈正坤，陈正坤正是联电和福建晋华合作切入生产DRAM的主要负责人，全力防止美光的技术流入中国大陆，在业界引起极大震撼。
消息人士透露，三大DRAM厂寄出存证信函的举动，也代表掌握一定的资料和证据，发现这些将三大厂的技术转移到大陆，损及利益，预料后续也会跟着采取法律行动，引起市场密切注意。
据了解，由于合肥长鑫锁定挖角刚并入美光的华亚科高达二百位员工，且多以曾参与美光先进制程的技术人员，美光内部也调派更多的法务人员来台，进行相关搜证和技术保全工作，防范技术遭到剽窃。
台湾南亚科也有部分人员已跳槽到合肥长鑫，但目前多以厂务为主，还未有制程技术人员加入对岸发展记忆体的集团，但南亚科也展开智慧财产财权的保护和宣导工作。南亚科总经理李培瑛强调，DRAM几乎是各种科技产品的必备电子元件，中国大陆长期发展一定是以国际化为目标。
华亚科被高薪挖角 大陆存储点燃DRAM主导权大战
中国大陆紫光集团长江存储、合肥长鑫及福建晋华都积极争取大陆存储主导权，随着三大体建厂计划预定2018年量产，三大体系将正面对决。
长鑫目前已网罗SK海力士、华亚科及台厂DRAM设计公司相关人员，构成中日台的存储研发团队。长鑫日前正式曝光相关投资计划，预定第一期在合肥空港经济示范区兴建第一座12吋晶圆厂，明年7月动工，目前团队已逾50位员工，预定明年要达千人规模、2018年上看2，000人，这也是为何急于对台挖角的关键。
大陆发展自主存储已列入大陆国家发展目标，多方势力积极主导地位，其中，紫光列名国家级发展存储厂商外，也获大基金支持，今年8月整并武汉新芯成立长江存取公司，由紫光集团董事长赵伟国出任长江存储公司董事长，国家集成电路产业投资基金总经理丁文武出任副董事长，武汉新芯执行长杨士宁担任执行长。
三大存储布局重读
据台湾媒体报道，近期大陆三股势力正如火如荼点燃DRAM主导权大战，长江存储传已评估到南京设立12吋厂，联电大陆DRAM厂福建晋华计划2018年量产，并在南科厂同步研发25、30纳米制程，至于合肥市与北京兆易创新（GigaDevice）合作的合肥长鑫，由前中芯国际执行长王宁国操刀，大陆这三股DRAM势力将决战2018年，抢当大陆DRAM产业龙头。
尽管大陆布局自制3D NANDFlash雏形渐现，长江存储将与已购并飞索（Spansion）的赛普拉斯（Cypress）合作，切入32层和64层3DNAND技术，由于门槛较高，长江存储仍有机会急起直追国际存储器大厂，然值得注意的是，全球存储器产业将率先上演大陆力争DRAM主导权戏码。
目前大陆DRAM势力处于战国时代，至少有三股DRAM势力全面竞逐版图，除了长江存储之外，还有联电旗下福建晋华，其主要操盘手为前瑞晶总经理、现任联电资深副总陈正坤，第三股DRAM势力则是合肥市政府结合GigaDevice及王宁国人马成立的合肥长芯。
长江存储与旗下武汉新芯原本是扮演大陆存储器中心角色，将统筹3DNAND和DRAM两大存储器技术发展，然大陆政府传出针对长江存储DRAM布局进行规范，若是自行研发DRAM技术必须先量产3DNAND，但若对外购买技术则无此限制，使得长江存储积极与国际大厂合作，以加速DRAM量产，并获得专利保护伞。
长江存储除了积极与美光洽谈DRAM技术专利授权，业界亦传出正着手评估自建或购并现有晶圆厂的可能性，甚至有意跟随台积电脚步评估在南京设立12吋晶圆厂，长江存储执行长杨士宁则表示，将以购并现有晶圆厂为第一考量。
近期武汉新芯12吋新厂已经动起来，单月产能规划30万片，涵盖NANDFlash和DRAM芯片，然业界预期长江存储两大产品线的生产基地，最终仍会分开进行。至于大陆另外两个DRAM阵营亦加快脚步展开研发自制，希望抢在长江存储之前先量产DRAM技术，以争取大陆DRAM产业宝座。
联电与福建晋江地方政府合作成立的福建晋华新厂已经动工，预计2018年进入量产，业界传出大陆注资近新台币100亿元，让联电在南科厂同时进行25、30纳米技术研发，预计2017年底完成技术开发，福建晋华则配合在2018年下半装机，届时联电南科厂DRAM技术将快速转到福建晋华量产。
尽管福建晋华至少要投入25纳米以下制程技术，才有机会获得大陆官方青睐，但联电采取较谨慎作法，避免一下子投入25纳米技术开发面临失败风险，遂同时研发30纳米作为备案。
大陆第三股DRAM势力系由王宁国操刀的合肥长鑫，原本合肥市政府和GigaDevice投资的厂房，传出主要投入DRAM相关存储器IC设计，然近期业界传出该阵营将豪掷逾新台币1，000亿元，同时进行DRAM研发和制造。
目前大陆这三股DRAM势力持续进行招兵买马，并双头并进朝向技术专利授权及自主技术研发模式发展，希望趁着大陆DRAM主导权还未底定之前先卡好位，预期2018年这三大DRAM阵营将力拚量产并陷入激战。
齐齐挖角华亚科
中国大陆两大体系紫光和合肥长鑫同步锁定挖角华亚科制程相关人才，其中由合肥市政府主导的存储研发团队合肥长鑫，开出三倍高薪和紫光集团的双倍薪较劲，在存储界丢出一颗震撼弹，凸显中国大陆建立存储自主技术的决心。
大陆高薪挖角的行动，也将让本月才正式并入美光的华亚科，甚至台塑集团旗下的南亚科，明年将有大批人才跳槽，如何挽留这些人才，将成为首要课题。
中国大陆已将存储列为国家发展半导体产业重项扶植项目，除了明定紫光集团为指标厂外，各地方政府也积极整合，希望列入国家级补助计划之列。
不过在争取和国外技术授权后，以武岳锋为首的大陆基金，和国家大基金都各自积极整合寻求突围，其中以合肥与中国大陆NANDFlash设计公司兆易创新（Gigadevice）合作的合肥长鑫和清华紫光集团最为积极。
消息人士透露，合肥长鑫除了计划和武岳锋基金并入的美商矽成（ISSI）合并，也挖角华亚科前资深副总刘大维，展开大批挖角华亚科人才行动。据了解，合肥长鑫开出现有华亚科三倍的高薪进行挖角，且锁定人数高达两百人，远高于紫光集团出的双倍薪，已有不少人决定投效。
另外，华亚科前董事长高启全跳槽紫光集团担任资深副总裁，紫光纳入武汉新芯整合成立长江存储公司后，也挖角前华亚科主管厂务的子弟兵施能煌担任紫光集团高级副总裁，并相继带走近十位子弟兵，投入在武汉兴建3DNANDFlash的建厂及后续自主研发DRAM技术作业。台系存储人才面临空前的挖角行动。
而连同瑞晶前总经理陈正坤带领的台系团队，投入为福建晋华兴建利基型DRAM代工厂，明年可谓台系DRAM人才大举向大陆靠拢的一年。
