总投资240亿美元的国家存储器基地项目近日在武汉东湖高新区正式开工。2020年全面建成后，年产值将超过100亿美元，实现我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。
此次开工的国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash Fab厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。
据介绍，国家存储器基地项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后，还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展。
存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，同时也是我国进口金额最大的集成电路产品。
从全球范围看，中国也正面临着加速发展国产芯片业的重要窗口期。一方面，国际上半导体产业已趋于成熟，国际资本介入半导体产业的脚步显著放缓，全球芯片市场近两年持续萎缩，唯有中国区域市场例外;另一方面，摩尔定律放缓，但制造工艺还在前行，且投资不断加大，这正好符合我国半导体产业投资并购的急切需求。从国内环境分析，除了沉淀出来的PC以及完整的供应链市场外，智能手机也在加速洗牌，机型也处于不断升级的过程之中。同时，智能家居、智能汽车、智能机器人、虚拟现实等已处在暴发的前夜，还有接踵而至的5G、万物联网、人工智能、区块链等新业态，无不形成了对芯片的超大需求。
支撑国产芯片业的软硬环境也正在显著改善。据国际知名专利检索公司QUESTEL的最新报告，过去18年，全球芯片专利数量增长了6倍，而我国芯片专利量则增长了23倍，以芯片专利申请数量论，我国已跃居世界第一大国，并连续5年蝉联全球第一。在政策层面，除设立了总规模近1400亿的国家集成电路产业投资基金外，上海，武汉、合肥、长沙、珠海、杭州、无锡等地相继跟进成立了地方性产业投资基金。据国际半导体设备与材料协会预测报告，2016至2017年间，全球确定新建的晶圆厂有19座，中国占了10座。
据业内人士透露，虽然目前设备国产化仍处于初期，需要投入大量人力、财力、物力，但随着国产设备大量投入使用，将使得我国芯片制造的设备采购成本降低25%左右。业内专家透露，集成电路技术40多年来一直按照摩尔定律规律发展，即每隔18个月技术更新一代。每一代技术的更新可使芯片集成度提高1倍，电路性能提高40%。随着摩尔定律近年来逐渐逼近极限，装备国产化对于提升我国集成电路行业竞争力将起到巨大作用。
数据显示，我国一年制造11.8亿部手机、3.5亿台计算机、1.3亿台彩电，牢牢占据世界第一，我国也由此成为全球最大的芯片需求市场，每年消耗全球54%的芯片，但国产芯片自给率则不足三成，市场份额不到10%。这也就是说，我国“芯”90%以上依赖进口，其中2016年前10个月进口芯片花费1.2万亿元人民币，为原油进口支出的两倍，超过铁矿石、钢、铜和粮食这四大战略物资的进口费用之和。
“受制于人”的被动局面，不仅让不少我国企业承受着巨大的专利扼制之痛，而且也时刻威胁着国民经济以及企业经营的安全，极大限制了我国企业在国际市场的获利能力。为此，《国家集成电路产业发展推进纲要》提出，到2020年我国半导体产业年增长率不低于20%。
同时，《中国制造2025》明确提出了2020年我国芯片自给率要达到40%，2025年要达到50%的标杆。而工信部的相关实施方案则更提出了新目标：10年内力争实现70%芯片自主保障且部分达到国际领先水平。业内人士表示，行业标准的推出将有助于我国芯片国产化的进程加速。
