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3D NAND制程良率是存储器报价最大关键

放大字体  缩小字体 发布日期:2017-03-01  浏览次数:9
核心提示:随着3D NAND加速量产,下半年产能若顺利开出,将成为NAND Flash市场最大变数。

去年下半年以来NAND Flash市场供不应求,主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND Flash产能转进3D NAND,但3D NAND生产良率不如预期,2D NAND供给量又因产能排挤缩小,NAND Flash市场出现货源不足问题,价格也因此明显上涨。不过,随着3D NAND加速量产,下半年产能若顺利开出,将成为NAND Flash市场最大变数。

2D NAND Flash制程持续往1y/1z纳米进行微缩,如三星及SK海力士去年已转进14纳米,东芝及西数(WD)进入15纳米,美光导入16纳米等。但因芯片线宽线距已达物理极限,2D NAND技术推进上已出现发展瓶颈,用1y/1z纳米生产的2D NAND并未出现成本效益,因此,NAND Flash厂开始将投资主力放在3D NAND,但也因产能出现排挤,NAND Flash产出量明显减少,导致下半年价格强劲上涨。

去年NAND Flash价格自第2季开始全面回升,涨势直达年底,主流的SSD价格涨幅超过4成,eMMC价格最高逼近6成,完成出乎市场意料。在此一情况下,原厂为了维持竞争优势,决定加速抢进3D NAND市场,而今年亦成为3D NAND市场成长爆发的一年,产能军备竞赛可说是一触即发。

 
 
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