前十大厂有两家今年资本支出成长在两成以上，分别是英特尔 25% 与格罗方德（GlobalFoundries） 33%。格罗方德去年因产能闲置，资本支出大减 62%。格罗方德已决定跳过 10 纳米，直接挑战 7 纳米制程，预料今年绝多数资本支出将用于采购新设备与技术研发。值得一提的是，英特尔目前也在冲刺 7 纳米制程。
去年初 DRAM 报价疲软，致使三星、SK 海力士两家存储器厂去年分别削减资本支出 13% 与 14%，不过展望今年，随着 DRAM 市况改善，三星、SK 海力士预估将增加资本支出 11% 与 16%。
另一家存储器厂美光，去年资本支出成长 28%，但美光去年底收购华亚科后，今年反倒削减资本支出 13%。
中国晶圆代工厂中芯去年资本支出大增 87%，增幅为各大厂之首，不过展望今年，中芯预估将削减资本支出 12%。另外，台积电去年资本支出成长 27%，今年则预估缩减 2%。
