三星决定斥资10兆韩元（87亿美元），扩充南韩华城厂DRAM产能。三星表示，新产线约需两年时间建造，将视研发进度和製程转换良率，决定生产18奈米或更先进製程的DRAM。
对于今年DRAM供需，稍早包括南亚科总经理李培瑛、创见董事长束崇万，及威刚董事长长陈立白都表示，今年DRAM因主要供应大厂将产能挪移生产储存型快闪记忆体（NAND Flash），且只做DRAM 製程升级，未见扩大资本支出增产，加上DRAM市场除个人电脑外，在各类智慧型装置，如车用、电视、家庭自动化、网通、伺服器以及行动装置等普遍使用，让供给缺口浮现。
据统计，首季除利基型DRAM涨幅在10~15%外，其余包括标准型DRAM、伺服器DRAM、行动式DRAM等，涨幅都在20~35%不等，并在淡季写下单季历史最大涨幅。预估第2季DRAM合约价仍会续涨，涨幅虽收敛，但也会逾一成。三星决定增产DRAM，记忆体模组业者表示，这一波DRAM上涨是由三星领军，使价格回到合理的利润，预料不至于杀价抢市占。
