在DRAM内存市场上，三星不仅产能、份额最高，技术也是最领先的，去年率先量产18nm工艺，今年将完成17nm DRAM内存研发，2018年量产，2020年则会推出16nm工艺的DRAM内存芯片。
与CPU等芯片相比，DRAM内存在20nm节点之后也放缓了速度，线宽减少越来越困难，40nm工艺的DRAM内存芯片线宽减少约为5-10nm，20nm工艺的线宽减少就只有2-3nm了，更先进的工艺减少线宽就更困难了。业界预计15nm节点将是（传统）DRAM内存的终点，未来DRAM的技术门槛会越来越高。
