台积电董事长张忠谋指出，去年间与主要客户及硅智财供应商携手合作完成7纳米技术硅智财设计，并开始进行硅晶验证，按照计划在今年4月试产。
5纳米部分，张忠谋表示，规划使用极紫外光(EUV)微影技术，以降低制程复杂度，制程技术预计2019年上半年试产。
10纳米部分则是已在今年第1季开始出货，台积电期望，在今年全年能稳健的扩产，由于10纳米制程微缩因而能提供优异的晶片密度，目前已准备支援高阶行动装置市场。
台积电也将持续降低16纳米FinFET技术缺陷密度，并改进生产周期，除行动处理器之外，这项制程在其他许多应用面也获得广泛接受，包括手机基频、支援电玩游戏的绘图处理器、扩增实境与虚拟实境装置，以及人工智慧系统。
张忠谋强调，台积电将进一步挑战性能、晶片尺寸与功耗的极限，推出12纳米技术，预计今年下半年量产，16纳米及12纳米技术皆能够满足成熟市场及超低功耗市场客户的需求，包括低中阶手机、消费性电子、数字电视、车用电子，以及物联网，还有高阶应用端的需求，包括高阶行动及网路产品。
在28纳米部分，张忠谋表示，该技术在量产迈入第6年后(2016年)，表现依旧强劲，营收也持续攀高，台积电将继续推出具有差异性及成本效益的解决方案，并期许这个重要制程的强势表现能够延续更多年。
这个原因晶圆代工龙头地位难以撼动
台积电董事长张忠谋指出，去年虽然面对新竞争者的挑战，但台积电在全球半导体制造中，市占率仍高达56%，维持领先地位，最关键的原因是拥有最先进的制程技术，去年已有54%晶圆营收，来自于28纳米以下或更先进制程。
张忠谋表示，台积电去年持续强化「开放创新平台」，以提供更多创新服务，去年9月在美国加州圣荷西以及10月在北京举办的「开放创新平台生态论坛」(OIPEcosystemForum)，揭露7纳米FinFET(包括完整晶片与硅智财设计)参考流程，借此彰显透过「开放创新平台」整合设计的成功。
张忠谋指出，此开放创新平台生态论坛，邀请客户及产业生态伙伴共襄盛举，展示透过「开放创新平台」合作所创造价值及促进创新的综效。
