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NAND Flash控制芯片迎接1X纳米时代,进入门槛已抬高

放大字体  缩小字体 发布日期:2018-09-20  来源:集微网  浏览次数:16
核心提示:据媒体报道,闪存(NAND Flash)控制芯片及存储器解决方案厂商群联电子董事长潘健成,今(19)日受邀于CFMS 2018 (中国闪存市场峰会)发表演讲,他直言:“NAND Flash控制芯片进入非常昂贵的1x纳米等级的晶圆制造阶段、加计3D NAND验证成本高于2D,从种种IC开发现状看出,除非抬高IC设计后来者进入门槛,如果单单只做IC设计生意,其获利是大不如从前的”。而这也应证半导体先进制程不断推进下,IC厂商所面临的另一波淘汰赛开始。
据媒体报道,闪存(NAND Flash)控制芯片及存储器解决方案厂商群联电子董事长潘健成,今(19)日受邀于CFMS 2018 (中国闪存市场峰会)发表演讲,他直言:“NAND Flash控制芯片进入非常昂贵的1x纳米等级的晶圆制造阶段、加计3D NAND验证成本高于2D,从种种IC开发现状看出,除非抬高IC设计后来者进入门槛,如果单单只做IC设计生意,其获利是大不如从前的”。而这也应证半导体先进制程不断推进下,IC厂商所面临的另一波淘汰赛开始。

事实上,不论存储器或逻辑IC都面临着制程技术演进下的新角逐。他认为,“NAND Flash正式进入3D制程发展,其相关控制芯片之晶圆制造制程则在近两年正式进入1x纳米时代,因此NAND Flash控制芯片的设计愈加复杂,所需要运用的人力及银弹等资源耗费较市场成长的幅度来得高”。

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演讲中,潘健成也以目前全球PCIe规格效能跑分评鉴最佳的自家SSD控制芯片PS5012-E12为例,该颗芯片除应用累积数十年的研发技术功力外,在人力、时间、设计工具、晶圆先进制程光罩费、3D NAND验证费…等等,若资源全部换算为可被评估的费用,总计超过1.55亿人民币,相较18年前群联初创业时的环境,所需投入的成本多了好几倍。

潘健成指出,当今闪存的现状对控制芯片设计业者而言,除了上述“军备战”的竞争形成技术进入障碍,另一方面,NAND Flash制造的国际原厂相继提高自给设计的控制芯片案量,因此独立芯片厂的控制芯片市场规模成长幅度低于存储容量需求成长率,所以,控制芯片取得获利也变薄、这对刚刚要跨入闪存IC设计这一行业者而言,进入门槛被抬高,简而言之,“如今若只卖IC,这生意不好做,要赚钱变得更困难。”

“这现状却能凸显群联电子的优势。”潘健成自信指出,群联过去18年来通过策略合作方式实现了IC设计一条龙的成功商业模式,未来,将更加积极接纳全球各种策略性伙伴,期待能携手伙伴们在5G、物联网、车联网、以及人工智能等多项创新科技领域共同抢攻海量资讯的存储商机。

他进一步说明,5G、物联网、车联网、以及人工智能等多项创新科技的资讯存储需求只增不减,人类使用存储器容量的提升仍会为产业带来商机,群联过去的商业模式不只卖IC,未来将运用多年来的产业经验值,如逾1,700件自有IP专利、逾千名的研发人员、专注经营快闪存储器应用所掌握的市场弹性、一年逾13亿美元的营收、以及年平均出货6亿颗IC等规模经济这6大实力。

潘健成透露,将积极寻找长期合作的策略性伙伴,共同扩大快闪存储器应用市场及技术发展。

全球快闪存储器产业界一年一度在大陆的盛大高峰会于今(19)日在深圳正式展开,包括美光、英特尔、长江存储、紫光存储、西部数据、三星等各大国际快闪存储器原厂皆参与该盛会,并同台为快闪存储器前瞻性技术发表看法及现况,今年现场参与之产业人士逾1,500人,创下新高。潘健成在大会力邀下,今年首度出席,并以“内存-闪存-存储 前世、今生、展望”为题向产业内人士进行演说,阐述其投身存储器产业近18年来的产业观察。
 
关键词: NAND Flash 控制芯片 纳米
 
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