因为英特尔14纳米x86CPU芯片产能短缺，比特币价格下跌造成的中低阶挖矿机需求不振，及新兴市场货币贬值造成的中低阶手机销售不佳，加上3D NAND转到96层及DRAM转到19纳米以下制程工艺的产能增加，等等因素叠加造成明年内存DRAM和闪存NAND预计将会有3－5％的供过于求，价格下行趋势确立，而将造成2019年整体存储器芯片产业同比衰退5－9％及全球半导体产业同比衰退1－4％。但此次下行趋势预计不超过18个月。
这次下行趋势有多糟？
英特尔14纳米x86 CPU 短缺状况应会于明年中之前改善，10纳米x86 CPU应于明年下半年量产，AMD 7纳米x86 CPU， 7纳米挖矿机及智能手机，5G手机等都将于明年出笼取代中低阶机种及对存储器半导体产生正面影响。因此我们预估大多数的内闪存存储器半导体公司会面对营业利润率从近50％的高档下滑，但却不至于步入亏损。
对中国产业的影响？
虽然主流DRAM和3D NAND的下跌对NOR，SLC （Single－Level Cell， 单层单元闪存） NAND都会造成不良的影响，但只要这次下行趋势不超过18个月，主流存储器芯片大厂不步入亏损，预期主流存储器厂商不会将大量产能转入利基型NOR和SLC NAND闪存市场而造成其价格崩跌。
