清洗的关键性则是由于随着特征尺寸的不断缩小，半导体对杂质含量越来越敏感，而半导体制造中不可避免会引入一些颗粒、有机物、金属和氧化物等污染物。为了减少杂质对芯片良率的影响，实际生产中不仅仅需要提高单次的清洗效率，还需要在几乎所有制程前后都频繁的进行清洗，清洗步骤约占整体步骤的33％。
半导体硅片清洗--浸入式湿法清洗槽
湿法化学清洗系统既可以是浸入式的又可以是旋转式的。一般设备主要包括一组湿法化学清洗槽和相应的水槽，另外还可能配有甩干装置。硅片放在一个清洗专用花篮中放人化学槽一段指定的时间，之后取出放人对应的水槽中冲洗。
半导体硅片清洗--兆声清洗槽
RcA或者改进的RcA清洗配合兆声能量是目前使用非常广泛的清洗方法。在附加了兆声能量后，可大幅降低溶液的使用温度以及工艺时间，而清洗效果更加有效。常用兆声清洗的频率为800kHz—1 MHz，兆声功率在100一600W。兆声换能器有平板式、圆弧板式等形式。兆声换能器可直接安装于槽体底部；石英清洗槽则可以采用水浴的方式，兆声换能器安装于外槽底部，这样可以避免清洗液对兆声换能器的浸蚀。
半导体硅片清洗--旋转喷淋清洗
旋转喷淋清洗是浸入型清洗的变型。系统中一般包括自动配液系统、清洗腔体、废液回收系统。喷淋清洗在一个密封的工作腔内一次完成化学清洗、去离子水冲洗、旋转甩干等过程，减少了在每一步清洗过程中由于人为操作因素造成的影响。在喷淋清洗中由于旋转和喷淋的效果，使得硅片表面的溶液更加均匀，同时，接触到硅片表面的溶液永远是新鲜的，这样就可以做到通过工艺时间设置，精确控制硅片的清洗腐蚀效果，实现很好的一致性。
半导体硅片清洗--刷洗器
刷洗器主要用于硅片抛光后的清洗，可有效地去除硅片正反两面1μm以及更大的颗粒。主要配置包括专用刷洗器、优化的化学清洗液及超纯水或者IPA。在水动力条件下，颗粒被旋转的海绵状刷子赶出。
