去年6月，美光宣布在西安的封装测试工厂投资逾43亿元人民币，其中包括加建一座新厂房，引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，包括但不限于移动DRAM、NAND及SSD，从而拓展西安工厂现有的DRAM封装和测试能力。
同时，美光决定收购力成半导体（西安）有限公司（力成西安）的封装设备，向力成西安逾1200名全体员工提供新的就业合同，进一步壮大人才队伍与运营规模。
今年3月27日，美光西安新厂房奠基开工。新厂房预计将于2025年下半年投产，并根据市场需求逐步增产。新厂房落成后，美光西安工厂的总面积将超过13.2万平方米（140万平方英尺）。
内存产能需求上升，三大厂加大马力建厂
今年来，美光的建厂步伐较为明显，除了布局西安产能，在美国地区方面，此前4月美光科技宣布，获得美国《芯片与科学法案》61亿美元政府补助。这些拨款以及额外的州和地方激励措施将支持美光在爱达荷州建设一个领先的DRAM存储器制造工厂，并在纽约州克莱镇建设两座先进DRAM存储器制造工厂。据悉，美国政府补贴将支持美光计划到2030年为美国国内领先的存储器制造，投资约500亿美元的总资本支出。
其中，爱达荷州的工厂已于2023年10月开工，预计将于 2025年上线并投入运营，2026年正式开始DRAM的生产，DRAM产量也将随着行业需求的增长而不断增加。
纽约州克莱镇项目正在进行初步设计、实地研究和包括NEPA在内的许可申请，该座晶圆厂的建设预计将于2025年开始，并于2028年投产并贡献产量，并根据未来十年的市场需求而增加。
日本地区，据《日刊工业新闻》报道，美光将斥资6000~8000亿日元在日本广岛兴建一座采用极紫外光(EUV)微影制程的先进DRAM芯片厂，预计2026年初动工、最快2027年底完工。根据报道，美光在广岛的新工厂位于现有的Fab 15附近，专注于DRAM生产，不包括后端封装和测试，并将重点放在HBM产品上。据悉，日本已批准多达1920亿日元补贴，支持美光在广岛建厂并生产新一代芯片。
马来西亚地区，美光在马来西亚槟城的第二座智能（尖端组装与测试）工厂于去年10月落成开业，该工厂初期投入了10亿美元。在第一座工厂建成后，美光再加码10亿美元扩建第二座智慧厂房，将工厂建筑面积扩充至150万平方尺。
而近期据日经亚洲引述知情人士透露，美光科技首次考虑在马来西亚生产HBM，满足AI热潮带来的更多需求。该公司曾表示，目标是到2025年将HBM（AI芯片的关键组件）的市场份额提高三倍以上，达到20%左右。
除了美光，据外媒消息，三星电子决定重启新平泽工厂（P5）基础建设，预计最快将于2024第三季重启建设，完工时间推估为2027年4月，不过实际投产时间可能更早。
三星公司担任副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joong 今年三月曾表示，预计今年HBM产量将是去年的2.9倍。同时，该公司公布了HBM路线图，预计2026年HBM出货量将是2023年产量的13.8倍，到2028年，HBM年产量将进一步增至2023年水平的23.1倍。
