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HM2301KR |
深圳华之美半导体有限公司 |
P沟道增强型功率MOSFET |
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1周 |
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HM2301C |
深圳华之美半导体有限公司 |
P沟道沟道功率MOSFET |
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1周 |
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HM4435 |
深圳华之美半导体有限公司 |
P沟道增强型功率MOSFET |
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HM2305 |
深圳华之美半导体有限公司 |
P沟道增强型功率MOSFET |
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HM2333 |
深圳华之美半导体有限公司 |
P沟道增强型功率MOSFET |
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1周 |
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HM2301B |
深圳华之美半导体有限公司 |
P沟道沟道功率MOSFET |
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1周 |
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HM2301/A |
深圳华之美半导体有限公司 |
P沟道增强型功率MOSFET |
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BLM3401 |
上海贝岭股份有限公司 |
p沟道增强型功率MOSFET、高功率和电流处理能力 |
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2周 |
2500 |
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MEM2310-N |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管;N沟道增强型、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
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MEM2318 |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管;N沟道增强型、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
1000 |
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MEM2306 |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管;极低的栅极电荷、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
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MEM2302-N |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管、N沟道增强型、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
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