NCE1216参数
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制造商
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产品种类
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产品特性
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P沟道增强型功率MOSFET
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Vds-漏源极击穿电压
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-12V
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Id-连续漏极电流
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-16A
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Pd-功率耗散
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18W
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Vgs-栅源极击穿电压
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12V
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Rds On@4.5V-漏源导通电阻
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11.5mΩ
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封装
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DFN2X2 6L
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代换型号
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NCE1216概述
NCE1216采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅极电荷的通导电阻能力。NCE1216非常适用于负载开关和其他各种应用。
NCE1216引脚图/引脚功能
应用领域
• PWM应用
• 负载开关
• 手机电池充电器
