NCE2301A参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
NCE P沟道增强型功率MOSFET |
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漏源极击穿电压（最大） |
-12V |
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连续漏极电流（最大） |
-3A |
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功率耗散（最大） |
1W |
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栅源极击穿电压 |
12V |
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漏源导通电阻(4.5V) |
42mΩ |
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封装 |
SOT-23 |
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代换型号 |
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NCE2301A概述
该NCE2301A采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V。这个装置是适合用作负载开关或PWM应用。
NCE2301A引脚图/引脚功能
NCE2301A典型应用电路图
应用领域
• PWM应用
• 负荷开关
• 电源管理
NCE2301A典型效率曲线
