NCE2301B参数
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制造商
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产品种类
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产品特性
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P沟道增强型功率MOSFET
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Vds-漏源极击穿电压
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-20V
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Id-连续漏极电流
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-2.6A
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Pd-功率耗散
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0.9W
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Vgs-栅源极击穿电压
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12V
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Rds On@4.5V-漏源导通电阻
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78mΩ
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封装
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SOT-23
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代换型号
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NCE2301B概述
NCE2301B采用先进的沟槽技术，并具有出色的通导电阻能力，低栅极电荷和操作电压低至1.8V。这个装置非常适合用作一个负荷开关或PWM应用。
NCE2301B引脚图/引脚功能
NCE2301B典型应用电路图
NCE2301B典型效率曲线
应用领域
•PWM应用
•负载开关
