NCE2305参数
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制造商
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无锡新洁能股份有限公司
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产品种类
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MOSFET
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产品特性
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N沟道增强型功率MOSFET
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Vds-漏源极击穿电压
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-20V
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Id-连续漏极电流
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-4.1A
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Pd-功率耗散
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1.7W
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Vgs-栅源极击穿电压
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12V
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Rds On@4.5V-漏源导通电阻
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39mΩ
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封装
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SOT-23
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代换型号
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NCE2305概述
NCE2305采用先进的沟槽技术来提供优异的导通电阻，低栅极电荷和栅极工作电压低至2.5V。这个器件是适合用作负载开关或PWM应用。
NCE2305引脚图/引脚功能
NCE2305典型应用电路图
NCE2305典型效率曲线
应用领域
• PWM应用
• 负载开关
• 电源管理
