NCE3007S参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
P沟道增强型功率MOSFET |
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漏源极击穿电压（最大） |
-30V |
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连续漏极电流（最大） |
-6.5A |
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功率耗散（最大） |
3.1W |
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栅源极击穿电压 |
20V |
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漏源导通电阻（典型值）(10V) |
30mΩ |
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漏源导通电阻（典型值）(4.5V) |
53mΩ |
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封装 |
SOP8 |
NCE3007S概述
该NCE3007S采用先进的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极电荷。它可以在负载开关和电池保护被使用应用程序。
NCE3007S引脚图/引脚功能
NCE3007S典型应用电路图
• 应用领域
• 负荷开关
• 电池保护
NCE3007S典型效率曲线
