NCE4606参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
N和P沟道增强型功率MOSFET |
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漏源极击穿电压（最大） |
30V |
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连续漏极电流（最大） |
6.5A |
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功率耗散（最大） |
2.0W |
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栅源极击穿电压 |
20V |
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漏源导通电阻（典型值）(10V) |
20mΩ |
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封装 |
SOP8 |
NCE4606概述
该NCE4606采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。互补的MOSFET可用于形成一个水平移位高侧切换，并为许多其它的应用程序。
NCE4606引脚图/引脚功能
NCE4606典型应用电路图
NCE4606典型效率曲线
