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NCE4435

【品牌】:NCEPOWER

【单价】:请询价

【库存交期】:2-4周

【最小起订量】:2500

【封装】:SOP8

【下载】: PDF文档下载

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制造商: 无锡新洁能股份有限公司 标准包装数: 2500
封装: SOP8 包装: 卷带
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: P沟道增强型功率MOSFET

NCE4435参数


制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

P沟道增强型功率MOSFET

漏源极击穿电压(最大)

-30V

连续漏极电流(最大)

-9.1A

功率耗散(最大)

3.1W

栅源极击穿电压

20V

漏源导通电阻(典型值)(10V)

16mΩ

漏源导通电阻(典型值)(4.5V)

21mΩ

封装

SOP8


NCE4435概述


该NCE4435采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS,低栅极电荷和操作闸在电压低至4.5V。


NCE4435引脚图/引脚功能


新洁能NCE4435典型应用电路图

NCE4435典型应用电路图


新洁能NCE4435典型应用电路图

应用领域


•  电池开关
•  负荷开关
•  电源管理

NCE4435典型效率曲线


新洁能NCE4435典型效率曲线

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