NCE30P12S参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
P沟道增强型功率MOSFET |
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漏源极击穿电压（最大） |
-30V |
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连续漏极电流（最大） |
-12A |
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功率耗散（最大） |
3W |
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栅源极击穿电压 |
20V |
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漏源导通电阻（典型值）(10V) |
11.5mΩ |
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漏源导通电阻（典型值）(4.5V) |
18mΩ |
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封装 |
SOP8 |
NCE30P12S概述
该NCE30P12S采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至4.5V。这个装置是适合用作负载开关或PWM应用。
NCE30P12S引脚图/引脚功能
NCE30P12S典型应用电路图
应用领域
• PWM应用
• 负荷开关
• 电源管理
NCE30P12S典型效率曲线
