NCE30P50G参数
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制造商
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产品种类
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产品特性
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P沟道增强型功率MOSFET
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Vds-漏源极击穿电压
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-30V
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Id-连续漏极电流
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-50A
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Pd-功率耗散
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35W
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Vgs-栅源极击穿电压
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20V
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Rds On@10V-漏源导通电阻
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4.4mΩ
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封装
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DFN5X6 8L
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代换型号
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NCE30P50G概述
NCE30P50G采用先进的沟槽技术和设计，并具有出色的低栅极电荷通导电阻能力。NCE30P50G具有非常广的应用范围。
NCE30P50G引脚图/引脚功能
NCE30P50G典型效率曲线
应用领域
• 电池和负载开关
