NCE40P06S参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
P沟道增强型功率MOSFET |
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漏源极击穿电压（最大） |
-40V |
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连续漏极电流（最大） |
-6A |
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功率耗散（最大） |
2.2W |
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栅源极击穿电压 |
20V |
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漏源导通电阻（典型值）(10V) |
40mΩ |
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封装 |
SOP8 |
NCE40P06S概述
该NCE40P06S采用先进的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极电荷。 它可以在各种各样的应用中。
NCE40P06S引脚图/引脚功能
NCE40P06S典型应用电路图
应用领域
• 电源开关的应用
• 硬开关和高频电路
• DC-DC转换
NCE40P06S典型效率曲线
