NCE60P50参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
P沟道增强型功率MOSFET |
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漏源极击穿电压（最大） |
-60V |
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连续漏极电流（最大） |
-50A |
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功率耗散（最大） |
95W |
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栅源极击穿电压 |
20V |
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漏源导通电阻（典型值）(10V) |
23mΩ |
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封装 |
TO220 |
NCE60P50概述
该NCE60P50采用先进的沟槽技术和设计以提供优良的RDS（ON）低栅极电荷。这设备是非常适用于高电流负荷的应用程序。
NCE60P50引脚图/引脚功能
NCE60P50典型应用电路图
应用领域
• 负荷开关
NCE60P50典型效率曲线
