NCE8205B参数
制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
产品种类 |
MOSFET |
产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
漏源极击穿电压(最大) |
20V |
连续漏极电流(最大) |
6.5A |
功率耗散(最大) |
1.5W |
栅源极击穿电压 |
12V |
漏源导通电阻(典型值)(4.5V) |
15mΩ |
封装 |
TSSOP8 |
NCE8205B概述
该NCE8205B采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。
NCE8205B引脚图/引脚功能
![新洁能NCE8205B引脚图/引脚功能](http://www.icgu.com/file/upload/201601/18/10-35-10-14-21.jpg)
NCE8205B典型应用电路图
![新洁能NCE8205B典型应用电路图](http://www.icgu.com/file/upload/201601/18/10-35-34-43-21.jpg)
应用领域
• 电池保护
• 负荷开关
• 电源管理
NCE8205B典型效率曲线
![新洁能NCE8205B典型效率曲线](http://www.icgu.com/file/upload/201601/18/10-35-55-14-21.jpg)