NCE3420参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
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漏源极击穿电压（最大） |
20V |
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连续漏极电流（最大） |
6A |
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功率耗散（最大） |
1.25W |
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栅源极击穿电压 |
10V |
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漏源导通电阻（典型值）(10V) |
20mΩ |
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封装 |
SOT23 |
NCE3420概述
该NCE3420采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作闸在电压低至1.8V。这个装置是适合用作一个单向或双向负荷开关。
NCE3420引脚图/引脚功能
NCE3420典型应用电路图
应用领域
• 单向负荷开关
• 双向负载开关
NCE3420典型效率曲线
