NCE2011E参数
|
制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
|
产品种类 |
MOSFET |
|
产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
|
漏源极击穿电压（最大） |
20V |
|
连续漏极电流（最大） |
11A |
|
功率耗散（最大） |
1.6W |
|
栅源极击穿电压 |
10V |
|
漏源导通电阻（典型值）(4.5V) |
5.5mΩ |
|
封装 |
TSSOP8 |
NCE2011E概述
该NCE2011E采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个负荷开关或PWM应用。这是ESD保护。
NCE2011E引脚图/引脚功能
NCE2011E典型应用电路图
应用领域
• PWM应用
• 负荷开关
NCE2011E典型效率曲线
