NCE2010E参数
制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
产品种类 |
MOSFET |
产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
漏源极击穿电压(最大) |
20V |
连续漏极电流(最大) |
7A |
功率耗散(最大) |
1.5W |
栅源极击穿电压 |
10V |
漏源导通电阻(典型值)(4.5V) |
15mΩ |
封装 |
TSSOP8 |
NCE2010E概述
该NCE2010E采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个负荷开关或PWM应用。它是ESD保护。
NCE2010E引脚图/引脚功能
![新洁能NCE2010E引脚图/引脚功能](http://www.icgu.com/file/upload/201601/19/14-42-16-94-21.jpg)
NCE2010E典型应用电路图
![新洁能NCE2010E典型应用电路图](http://www.icgu.com/file/upload/201601/19/14-42-53-86-21.jpg)
应用领域
• PWM应用
• 负荷开关
NCE2010E典型效率曲线
![新洁能NCE2010E典型效率曲线](http://www.icgu.com/file/upload/201601/19/14-43-15-41-21.jpg)