NCE2008E参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
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漏源极击穿电压（最大） |
20V |
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连续漏极电流（最大） |
6A |
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功率耗散（最大） |
1.5W |
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栅源极击穿电压 |
10V |
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漏源导通电阻（典型值）(4.5V) |
17mΩ |
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封装 |
TSSOP8 |
NCE2008E概述
该NCE2008E采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V。这个装置是适合用作负载开关或PWM应用。它是静电放电保护。
NCE2008E引脚图/引脚功能
NCE2008E典型应用电路图
应用领域
• PWM应用
• 负荷开关
NCE2008E典型效率曲线
