NCE2004NE参数
|
制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
|
产品种类 |
MOSFET |
|
产品特性 |
NCE N沟道增强型功率MOSFET |
|
漏源极击穿电压（最大） |
20V |
|
连续漏极电流（最大） |
6A |
|
功率耗散（最大） |
1.25W |
|
栅源极击穿电压 |
10V |
|
漏源导通电阻(4.5V) |
17mΩ |
|
封装 |
SOT23-6 |
|
代换型号 |
\ |
NCE2004NE概述
该NCE2004NE采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V。这个装置是适合用作负载开关或PWM应用。它是静电抗议。
NCE2004NE引脚图/引脚功能
NCE2004NE典型应用电路图
应用领域
• PWM应用
• 负荷开关
NCE2004NE典型效率曲线
