NCE3404Y参数
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制造商
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产品种类
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产品特性
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N沟道增强型功率MOSFET
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Vds-漏源极击穿电压
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30V
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Id-连续漏极电流
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5.8A
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Pd-功率耗散
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1.4W
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Vgs-栅源极击穿电压
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20V
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Rds On@10V-漏源导通电阻
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23mΩ
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Rds On@4.5V-漏源导通电阻
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27.5mΩ
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封装
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SOT23-3L
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代换型号
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NCE3404Y概述
NCE3404Y采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅极电荷和优良的通导电阻能力。NCE3404Y非常适用于负载开关和PWM应用。
NCE3404Y引脚图/引脚功能
应用领域
• 负载开关
• PWM应用
