NCE3035Q参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
NCE N沟道增强型功率MOSFET |
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漏源极击穿电压（最大） |
30V |
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连续漏极电流（最大） |
35A |
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功率耗散（最大） |
35W |
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栅源极击穿电压 |
20V |
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漏源导通电阻(10V) |
4.8mΩ |
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漏源导通电阻(4.5V) |
8.2mΩ |
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封装 |
SOT-23 |
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代换型号 |
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NCE3035Q概述
该NCE3035Q采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可以在各种应用中使用。
NCE3035Q引脚图/引脚功能
NCE3035Q典型应用电路图
应用领域
• 二次侧同步整流
• POL DC/ DC转换器的高侧开关
NCE3035Q典型效率曲线
