NCE40H12I参数
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制造商
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产品种类
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产品特性
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N沟道增强型功率MOSFET
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Vds-漏源极击穿电压
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40V
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Id-连续漏极电流
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120A
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Pd-功率耗散
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120W
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Vgs-栅源极击穿电压
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20V
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Rds On@10V-漏源导通电阻
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3.6mΩ
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Rds On@4.5V-漏源导通电阻
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5.8mΩ
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封装
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TO-251
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代换型号
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NCE40H12I概述
NCE40H12I采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅极电荷的通导电阻能力。NCE40H12I具有非常广泛的应用范围。
NCE40H12I引脚图/引脚功能
NCE40H12I典型电气特性
应用领域
• 负载开关
• 高频电路
• 持续电源供应
