NCE55H12参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
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漏源极击穿电压（最大） |
55V |
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连续漏极电流（最大） |
120A |
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功率耗散（最大） |
200W |
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栅源极击穿电压 |
20V |
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漏源导通电阻（典型值）(10V) |
4.1mΩ |
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封装 |
TO220 |
NCE55H12概述
该NCE55H12采用先进的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极电荷。它可以在各种各样的应用中。
NCE55H12引脚图/引脚功能
NCE55H12典型应用电路图
应用领域
• 电源开关的应用
• 硬开关和高频电路
• 不间断电源供应
NCE55H12典型效率曲线
