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NCE5520Q

【品牌】:NCEPOWER

【单价】:请询价

【库存交期】:2-4周

【最小起订量】:2500

【封装】:DFN2X3 6L

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制造商: 无锡新洁能股份有限公司 标准包装数: 2500
封装: DFN2X3 6L 包装: 卷带
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: N-55V Trench MOSFET

NCE5520Q参数


  制造商
  产品种类
  产品特性
  N沟道增强型功率MOSFET
  Vds-漏源极击穿电压
  55V
  Id-连续漏极电流
  20A
  Pd-功率耗散
  35W
  Vgs-栅源极击穿电压
  20V
  Rds On@10V-漏源导通电阻
  19mΩ
  封装
  DFN2X3 6L
  代换型号
  /

NCE5520Q概述


NCE5520Q采用先进的沟槽技术,并具有出色的通导电阻能力,低栅极电荷。NCE5520Q具有非常广的应用范围。


NCE5520Q引脚图/引脚功能


NCE5520Q引脚图引脚功能

NCE5520Q典型效率曲线


NCE5520Q典型效率曲线

应用领域


  •  工业电源
  •  LED背光
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