NCE5520Q参数
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制造商
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产品种类
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产品特性
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N沟道增强型功率MOSFET
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Vds-漏源极击穿电压
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55V
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Id-连续漏极电流
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20A
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Pd-功率耗散
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35W
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Vgs-栅源极击穿电压
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20V
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Rds On@10V-漏源导通电阻
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19mΩ
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封装
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DFN2X3 6L
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代换型号
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NCE5520Q概述
NCE5520Q采用先进的沟槽技术，并具有出色的通导电阻能力，低栅极电荷。NCE5520Q具有非常广的应用范围。
NCE5520Q引脚图/引脚功能
NCE5520Q典型效率曲线
应用领域
• 工业电源
• LED背光
