NCE6003Y参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
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漏源极击穿电压（最大） |
60V |
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连续漏极电流（最大） |
3A |
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功率耗散（最大） |
1.7W |
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栅源极击穿电压 |
20V |
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漏源导通电阻（典型值）(10V) |
78mΩ |
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漏源导通电阻（典型值）(4.5V) |
95mΩ |
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封装 |
SOT23-3L |
NCE6003Y概述
该NCE6003Y采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。
NCE6003Y引脚图/引脚功能
NCE6003Y典型应用电路图
应用领域
• 电池开关
• 直流/直流转换器
NCE6003Y典型效率曲线
