NCE6058参数
制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
产品种类 |
MOSFET |
产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
漏源极击穿电压(最大) |
60V |
连续漏极电流(最大) |
58A |
功率耗散(最大) |
85W |
栅源极击穿电压 |
20V |
漏源导通电阻(典型值)(10V) |
13mΩ |
封装 |
TO220 |
NCE6058概述
该NCE6058采用先进的沟槽技术和设计,以提供优良的RDS(ON)低栅极电荷。它可以在各种各样的应用中。
NCE6058引脚图/引脚功能
![新洁能NCE6058引脚图/引脚功能](http://www.icgu.com/file/upload/201601/20/15-59-27-19-21.jpg)
NCE6058典型应用电路图
![新洁能NCE6058典型应用电路图](http://www.icgu.com/file/upload/201601/20/15-59-52-90-21.jpg)
应用领域
• 电源开关的应用
• LED背光
• 不间断电源供应
NCE6058典型效率曲线
![新洁能NCE6058典型效率曲线](http://www.icgu.com/file/upload/201601/20/16-00-17-97-21.jpg)