NCE75H21D参数
|
制造商
|
|
|
产品种类
|
|
|
产品特性
|
N沟道增强型功率MOSFET
|
|
Vds-漏源极击穿电压
|
75V
|
|
Id-连续漏极电流
|
210A
|
|
Pd-功率耗散
|
310W
|
|
Vgs-栅源极击穿电压
|
20V
|
|
Rds On@10V-漏源导通电阻
|
3mΩ
|
|
封装
|
TO-263
|
|
代换型号
|
/
|
NCE75H21D概述
NCE75H21D采用先进的沟槽技术和设计，并具有出色的通导电阻能力和低栅极电荷。NCE75H21D可以用于汽车应用以及各种其他的应用范围。
NCE75H21D引脚图/引脚功能
NCE75H21D典型效率曲线
应用领域
• 汽车应用
• 高频电路
• 持续电源供应
