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NCE75H21D

【品牌】:NCEPOWER

【单价】:请询价

【库存交期】:2-4周

【最小起订量】:3000

【封装】:TO-263

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制造商: 无锡新洁能股份有限公司 标准包装数: 3000
封装: TO-263 包装: 管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: N-75V Trench MOSFET

NCE75H21D参数


  制造商
  产品种类
  产品特性
  N沟道增强型功率MOSFET
  Vds-漏源极击穿电压
  75V
  Id-连续漏极电流
  210A
  Pd-功率耗散
  310W
  Vgs-栅源极击穿电压
  20V
  Rds On@10V-漏源导通电阻
  3mΩ
  封装
  TO-263
  代换型号
  /

NCE75H21D概述


NCE75H21D采用先进的沟槽技术和设计,并具有出色的通导电阻能力和低栅极电荷。NCE75H21D可以用于汽车应用以及各种其他的应用范围。


NCE75H21D引脚图/引脚功能


NCE8060D引脚图引脚功能

NCE75H21D典型效率曲线


NCE8060D典型效率曲线

应用领域


  •  汽车应用
  •  高频电路
  •  持续电源供应
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