NCE80H11H参数
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制造商
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无锡新洁能股份有限公司
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产品种类
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MOSFET
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产品特性
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N沟道增强型功率MOSFET
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Vds-漏源极击穿电压
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80V
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Id-连续漏极电流
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105A
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Pd-功率耗散
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200W
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Vgs-栅源极击穿电压
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20V
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Rds On@10V-漏源导通电阻
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5.8mΩ
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封装
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TO-220
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代换型号
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/
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NCE80H11H概述
NCE80H11采用先进的沟槽技术和设计，提供优异的低栅极导通电阻。它可以在各种各样的应用中被使用。
NCE80H11H引脚图/引脚功能
NCE80H11H检测电路图
NCE80H11H典型效率曲线
应用领域
• 汽车应用
• 开关和高频电路
• 不间断电源供应
