NCE8580D参数
|
制造商
|
无锡新洁能股份有限公司
|
|
产品种类
|
MOSFET
|
|
产品特性
|
N沟道增强型功率MOSFET
|
|
Vds-漏源极击穿电压
|
85V
|
|
Id-连续漏极电流
|
80A
|
|
Pd-功率耗散
|
170W
|
|
Vgs-栅源极击穿电压
|
20V
|
|
Rds On@10V-漏源导通电阻
|
6.8mΩ
|
|
封装
|
TO-263
|
|
代换型号
|
/
|
NCE8580D概述
NCE8580D采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的低栅极电荷导通电阻。该器件适用于PWM应用，负载开关和一些普通的应用。
NCE8580D引脚图/引脚功能
NCE8580D典型应用电路图
NCE8580D典型效率曲线
应用领域
• 电源开关的应用
• 开关和高频电路
• 持续电源供应
