NCE85H15T参数
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制造商
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无锡新洁能股份有限公司
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产品种类
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N沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高密度电池设计超低导通电阻、特殊工艺技术，高ESD能力
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电压VDS
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85V
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电压VGS
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10V
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电阻R DS(ON)
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<4.8mΩ
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电流I D
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150A
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封装
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TO247
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代换型号
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/
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NCE85H15T概述
NCE85H15T采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。这个设备适用于PWM，负载开关和一般用途的应用中使用。
NCE85H15T引脚图/引脚功能
NCE85H15T典型应用电路图
NCE85H15T应用领域
● 电源开关的应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
