NCE85H21T参数
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制造商
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无锡新洁能股份有限公司
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产品种类
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N沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高密度电池设计超低导通电阻、特殊工艺技术，高ESD能力
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电压VDS
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85V
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电压VGS
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10V
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内阻R DS(ON)
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<3.5mΩ
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电流I D
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210A
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封装
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TO247
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代换型号
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/
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NCE85H21T概述
该NCE85H21T采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可以在汽车应用和各种其它应用中使用。
NCE85H21T引脚图/引脚功能
NCE85H21T典型应用电路图
NCE85H21T应用领域
● 汽车应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
