NCE0106R参数
|
制造商
|
无锡新洁能股份有限公司
|
|
产品种类
|
N沟道增强型功率MOSFET
|
|
产品特性
|
高密度电池设计超低导通电阻、良好的散热
|
|
电压VDS
|
100V
|
|
电压VGS
|
10V
|
|
内阻R DS(ON)
|
<140mΩ
|
|
电流I D
|
6A
|
|
封装
|
SOT223
|
|
代换型号
|
/
|
NCE0106R概述
该NCE0106R采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的R DS（ON）低栅极电荷。 它可以在各种各样的应用中。
NCE0106R引脚图/引脚功能
NCE0106R典型应用电路图
NCE0106R应用领域
● 电源开关的应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源 
